"Samsung" razvio "fleš" memoriju od 20 nanometara

"Samsung" je objavio da SD kartice sa "fleš" čipovima napravljenim postupkom od 20 nm čak 30 odsto brže upisuju podatke od onih napravljeih prethodnom tehnologijom od 30 nm.

"Samsungov" novi 34-gigabitni (četiri gigabajta) MLC (Multi-Level Cell) NI "fleš" memorijski čip namenjen je izradi memorijskih kartica za uređaje kao što su "pametni" telefoni.

Južnokorejska kompanija već isporučuje klijentima uzorke SD kartica sa čipovima od 20 nm i očekuje da će proširiti njihovu proizvodnju kasnije ove godine.

Nove "Samsungove" memorijske kartice izrađene s ovim čipovima imaće kapacitete od četiri do 64 gigabajta.